你了解(jiě)單(dān)晶(jīng)爐嗎(ma)？單晶爐(lú)在制作工藝(yì)上(shàng)的拉制(zhì)方法具體該怎(zěn)麽做(zuò)呢？

第一種(zhǒng)：區熔法

區(qū)熔法的操作工(gōng)藝就(jiù)是爲了避免熔體與坩埚(guō)間的(de)化學反應造成(chéng)的污染，而(ér)發展(zhǎn)起來的(de)無(wú)增埚晶體生(shēng)長(zhǎng)工藝(yì)。

這種方法隻适用(yòng)于熔(róng)體表面(miàn)張力(lì)系數(shù)大的晶體(tǐ)生(shēng)長(zhǎng)。垂直(zhí)安裝一根多晶(jīng)體棒，用水冷射(shè)頻感，使應(yīng)加熱(rè)使棒的一端熔(róng)化。依(yī)靠(kào)熔體的(de)表面張力和電(diàn)場産生的懸浮(fú)力，使(shǐ)熔體與晶(jīng)棒粘附(fù)在一起。把一根經過定向處理的籽晶(jīng)端部(bù)侵(qīn)入(rù)熔體，利用加熱(rè)器與(yǔ)晶體熔體的(de)相對運動使多晶(jīng)棒不(bú)斷(duàn)地(dì)熔化(huà)，而另一側逐漸生成晶(jīng)體(tǐ)。這種(zhǒng)方法會讓生長(zhǎng)的晶(jīng)體不會受(shòu)坩埚(guō)的(de)污染。

第二種：直拉(lā)法

直拉(lā)法又稱“恰克拉斯基法”（czochralski）法(fǎ)，簡(jiǎn)稱cz法(fǎ)。是生(shēng)長單晶矽的(de)主(zhǔ)要方(fāng)法。該法是在直拉法(cz)單(dān)晶(jīng)爐内(nèi)，将原料（多晶矽）裝在一個(gè)坩埚(guō)中使其(qí)加熱至(zhì)熔融狀，向熔矽(xī)中引入籽(zǐ)晶，籽(zǐ)晶夾(jiá)在(zài)提拉(lā)杆的下端，控(kòng)制溫(wēn)度合适。當籽晶(jīng)和熔矽達到平(píng)衡時，熔液會靠(kào)着表面(miàn)張力的(de)支撐吸附(fù)在籽(zǐ)晶的下方(fāng)。此時(shí)邊旋(xuán)轉邊提拉(lā)籽晶，這(zhè)些被吸(xī)附的熔體也會随着(zhe)籽晶(jīng)往上運動。向上(shàng)運動(dòng)的過程中熔體溫度(dù)下降，将使(shǐ)得熔體凝(níng)結成晶且随着(zhe)籽晶方向生長成單晶棒(bàng)。

編(biān)輯(jí)gyn