單(dān)晶爐(lú)在使用前(qián)一定(dìng)要認真的(de)閱讀操作(zuò)規程(chéng)，以免(miǎn)發生意外(wài)和導緻設備的(de)損壞(huài)。

1、清爐、裝爐：清洗(xǐ)整個爐室(shì)内壁及(jí)加(jiā)熱線(xiàn)圈、反(fǎn)射(shè)器、晶體(tǐ)夾持器、上軸、下軸，調整加熱(rè)線(xiàn)圈和(hé)反射(shè)器的水平及(jí)與上軸(zhóu)、下軸(zhóu)的(de)對(duì)中；将(jiāng)多晶(jīng)料(liào)夾具固(gù)定到多晶(jīng)料尾(wěi)部的刻(kè)槽(cáo)處，然後将其(qí)安裝到上軸(zhóu)末(mò)端，進行(háng)多(duō)晶(jīng)料的對中(zhōng)；将籽晶裝入(rù)籽晶夾頭上，然後将其(qí)安(ān)裝到下(xià)軸頂端；關(guān)閉各(gè)個爐門，擰緊各(gè)緊固螺栓； 

2、抽空(kōng)、充氣(qì)，預熱：打開(kāi)真空泵(bèng)及(jí)抽氣(qì)管道(dào)閥門，對爐室進行抽(chōu)真空(kōng)，真空度達到所(suǒ)要求值時(shí)，關閉抽氣(qì)管道閥門(mén)及真(zhēn)空泵(bèng)，向爐(lú)膛(táng)内(nèi)快(kuài)速(sù)充入(rù)氩氣；當充(chōng)氣壓力達到相對壓(yā)力 1bar-6bar時，停止快速(sù)充氣(qì)，改用慢速(sù)充氣，同時打開(kāi)排氣閥門進行(háng)流氩；充(chōng)氣(qì)完畢後，對多晶矽棒(bàng)料進(jìn)行預熱，預(yù)熱使用石墨預(yù)熱環，使(shǐ)用(yòng)電流(liú)檔，預(yù)熱設(shè)定點(diǎn)25-40％，預熱時間爲10-20分鍾； 

3、化(huà)料、引(yǐn)晶：預(yù)熱結(jié)束後，進行(háng)化料，化(huà)料(liào)時(shí)轉(zhuǎn)入電壓檔(dàng)，發生器設定點在40-60％；多(duō)晶料(liào)熔化後，将(jiāng)籽晶與熔矽進(jìn)行熔接(jiē)，熔接後(hòu)對熔區(qū)進行整(zhěng)形，引晶； 

4、生(shēng)長細頸：引晶(jīng)結束後(hòu)，進行細(xì)頸的生(shēng)長，細頸(jǐng)的直(zhí)徑(jìng)在2-6mm，長度在(zài)30-60mm； 

5、擴肩(jiān)及氮(dàn)氣(qì)的充入(rù)：細頸生(shēng)長結束(shù)後，進(jìn)行擴肩，緩(huǎn)慢減少下速至(zhì)3±2mm/min，同時随着(zhe)擴肩直徑的(de)增大不(bú)斷減少下轉至8±4rpm，另外還要緩慢減小上轉至(zhì)1±0.5rpm；爲(wèi)了防止(zhǐ)高(gāo)壓電(diàn)離，在氩氣保護(hù)氣氛中充(chōng)入一(yī)定比(bǐ)例的氮氣(qì)，氮氣的摻入(rù)比例相(xiàng)對于氩氣的 0.01％-5％；

6、轉肩、保持及(jí)夾持器釋放：在(zài)擴(kuò)肩直徑與單晶保持直徑相(xiàng)差3-20mm時(shí)，擴肩(jiān)的速(sù)度要(yào)放慢一些(xiē)，進行轉肩，直至(zhì)達到(dào)所需(xū)直徑(jìng)，單晶保(bǎo)持(chí)，等(děng)徑保持直徑(jìng)在75mm-220mm，單(dān)晶生(shēng)長速度1mm/分(fèn)-5mm/分，在(zài)擴肩(jiān)過程(chéng)中，當單晶(jīng)的肩(jiān)部單(dān)晶持(chí)器的(de)銷子的距(jù)離小(xiǎo)于2mm時釋放夾持(chí)器，将(jiāng)單晶(jīng)夾住(zhù)；

7、收尾(wěi)、停爐：當單(dān)晶拉至尾部(bù)，開(kāi)始進(jìn)行(háng)收尾，收(shōu)尾到單(dān)晶的直(zhí)徑達(dá)到Φ10-80mm，将熔區拉(lā)開(kāi)，這時使下(xià)軸繼續向下運(yùn)動，上軸改向上運動，同(tóng)時功率(lǜ)保持在40±10％，對晶體(tǐ)進行(háng)緩(huǎn)慢降溫(wēn)。